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Samsung in ritardo sui 3nm: la produzione di massa partirà a fine 2022

Pubblicato su INFORMAZIONE 24 in: HI-TECH

I piani di Samsung per lo sviluppo del nodo a 3nm non stanno proseguendo come da programma e, stando a quanto emerge dal Foundry Forum 2021 che si è tenuto in Cina, pare che assisteremo ad un ritardo di circa un anno rispetto a quanto preventivato a marzo del 2020. La nuova roadmap di Samsung Foundry, infatti, ha spostato la produzione di massa dei chip a 3nm solo a 2022 inoltrato, mentre in precedenza questo sarebbe dovuto avvenire nel corso del 2021, con i primi dispositivi a 3nm sul mercato durante la seconda metà del 2022.

Nei prossimi mesi, invece, vedremo l'adozione del processo produttivo 5nm LPP affiancato da quello a 4nm LPP (e Qualcomm dovrebbe sfruttarlo per alcuni suoi SoC), mentre nel 2023 arriveranno i chip a 3nm GAP (Gate All-Around Plus) che saranno disponibili per tutti i suoi partner. A precedere i 3nm GAP troveremo i 3nm GAE (Gate All-Around Early), ovvero una prima versione del nodo a 3nm che verrà utilizzato per realizzare i chip Exynos.

Samsung ha anche rivelato ad AnandTech che verso la fine del 2022 comincerà lo sviluppo dei 3nm GAA (Gate All-Around), senza però specificare una tempistica precisa. Questo sarà il primo passo verso tutte le novità che arriveranno solo nel 2023. Ricordiamo che quando Samsung ha presentato il nodo a 3nm MBCFET ha promesso un incremento delle prestazioni del 35% e una riduzione dei consumi del 50% – accompagnata da una riduzione della superficie del 45% – rispetto a quanto possibile con il processo a 7nm LPP.


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